题 目：后摩尔时代的大容量三维存储芯片

报告人：陈杰智 伟德BETVLCTOR1946信息学院教授，博士生导师

时 间：2018-11-21 周三 上午10:00

地 点：振声苑E113

报告摘要：

随着大数据和人工智能等新兴技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式地增长。为克服器件尺寸缩小所面临的物理极限，继续提高集成密度，三维立体闪存存储器将取代二维平面闪存存储器成为未来十几年大容量非挥发存储器的主流产品形态。相比二维平面闪存存储器，三维闪存存储器可以提供更大的存储密度，更低的产品成本和更高的可靠性特性。然而，由于三维立体闪存存储器的特殊单元结构和制备工艺，其可靠性核心问题与二维平面闪存存储器有着很大不同。本报告将从后摩尔时代微纳技术的发展来讨论三维立体架构存储器所需面临的前沿科学问题。

报告人简介：

陈杰智教授，2009年博士毕业于东京大学电子工学专业，2010年受聘于日本东芝研究开发中心，2016年到伟德BETVLCTOR1946任教。目前其主要方向是硅基纳米器件和NAND闪存存储器可靠性物理机制的研究。其学术成果于2008-2018间十余次在微电子领域顶级国际权威器件研究会议IEDM和VLSI Technology发表，已经获得十七项美国专利和日本专利授权。现为IEEE高级会员，担任IEEE IEDM国际电子器件会议CRY技术委员(2016-2017), IEEE SNW硅纳米器件会议技术委员(2018-), 以及IEEE IRPS国际可靠性物理技术会议技术委员(2019-)。

联系方式：chen.jiezhi@sdu.edu.cn