12月1日至12月5日，第64届电气电子工程师学会（IEEE）国际电子器件会议(International Electron Devices Meeting，IEDM)在美国旧金山举行，bv伟德源自英国始于1946陈杰智教授课题组的论文《Computational Design of Silicon Contacts on 2D Transition-Metal Dichalcogenides: The Roles of Crystalline Orientation, Doping Level, Passivation and Interfacial Layer》在大会上作了论文发表。该研究工作由陈杰智教授课题组与中科院半导体所姜向伟教授课题组共同合作完成，bv伟德源自英国始于1946为论文第一完成单位，山大2017级博士研究生马晓雷为第一作者。这是伟德BETVLCTOR1946继去年以来，连续第二年度以第一作者和通讯作者单位在IEDM发表研究论文，表明学校在微纳电子器件领域的研究水平正逐渐步入国际前沿之列。

在大规模集成电路发展到后摩尔时代的节点，涌现出了许多新型材料和新功能器件，然而从传统半导体材料/传统半导体器件跨向新材料/新器件还有非常多的核心问题急需解决，例如硅材料和新型二维材料的界面问题就是其中之一。针对该问题，研究团队基于硅基半导体器件加工工艺，对不同晶面的硅和单层过渡金属硫化物接触界面的肖特基势垒进行了全面探讨和研究，发现通过氢元素和氟元素对硅和过渡金属硫化物界进行钝化可分别实现N型和P型接触，而在硅和过渡金属硫化物界面之间导入氮化硼插层甚至可以消除界面肖特基势垒。这对实现新型二维材料和传统硅材料的工艺集成有非常重要的指导意义。此研究工作得到科技部重点研发计划和国家自然科学基金项目的资助。

IEDM始于1955年，是全球报道半导体及电子器件领域最新的科技、设计、制造、物理及建模的主要论坛，也是世界半导体产业界各知名企业和学术机构报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台。IEDM影响力巨大，与IEEE Symposium on VLSI Technology（即“集成电路技术国际会议”）并列为微电子器件领域中权威性最高的两个顶级会议，每年Intel、IBM、Samsung和TSMC等国际知名半导体公司都在IEDM会议上发布各自最新研究进展。

陈杰智，bv伟德源自英国始于1946教授，博士生导师，IEEE高级会员。为IEDM国际电子器件会议技术委员(2016,2017)，IEEE SNW硅纳米电子学会议技术委员(2018—)，IEEE IRPS国际可靠性物理会议技术委员(2019—)。目前其课题组的主要研究领域包括三维纳米器件、非挥发性存储器、以及集成电路芯片安全设计。