近日，bv伟德源自英国始于1946陈杰智教授课题组关于提高3D NAND闪存存储芯片可靠性的研究论文“Retention Correlated Read Disturb Errors in 3D Charge Trap NAND Flash Memory: Observations, Analysis, and Solutions”于2020年9月被IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (IEEE TCAD)录用，bv伟德源自英国始于1946为论文第一完成单位，2019级硕士研究生孔亚晨为第一作者，陈杰智教授为通讯作者。

           3D NAND闪存芯片是一种非易失性存储器，具有高性能、高存储密度、低成本等优点。随着PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），3D NAND闪存芯片迎来了全面发展。但是3D NAND闪存芯片独特的可靠性问题也成为限制其进一步微缩化的主要原因，其中读干扰(Read Disturb)和数据保持特性(Data Retention)备受关注。该论文工作深入系统地研究了电荷俘获型超多值3D TLC (3bit/cell) NAND闪存芯片的读干扰特性、数据保持特性，以及上述可靠性问题之间的关联耦合特性（RCRD），并基于对其可靠性物理机制的分析从电学和热学两方面提出了解决方案，包括存储层电荷预写入方案（PCSL）和热稳定存储层方案（TSSL）。经过闪存芯片实测分析，以上两种解决方案均可有效地降低大容量闪存芯片误码率，提高芯片抑制读串扰能力和数据保持能力，对设计高可靠性闪存存储系统有着非常重要的指导意义。

  IEEE TCAD是中国计算机学会推荐的A类期刊，是计算机辅助设计领域中最具影响力的刊物之一。该项研究受到国家重点研发计划项目、国家自然科学基金、山东省自然科学基金智能计算联合基金、伟德BETVLCTOR1946基础研究基金等多个项目的支持。

  陈杰智，IEEE高级会员，bv伟德源自英国始于1946教授，博士生导师。目前其课题组主要研究领域包括新型纳米器件与材料、非挥发性存储单元可靠性机理、以及闪存存储芯片可靠性设计等。